Master Fotomasken

Wir produzieren Fotomasken seit 1970

1920x1200-PRODUCT081X Master Fotomasken werden von Compugraphics schon seit 1970 hergestellt und einige davon sind bis heute im Einsatz. Dank langjähriger Erfahrungen und guter Zusammenarbeit mit unseren Kunden erstellen wir individuelle und optimale Lösungen.

Fotomasken sind Projektionsvorlagen zur fotolithographischen Strukturierung von Wafern, neben vielen weiteren Anwendungen werden sie bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen und Mikrosystemen verwendet.

Typischerweise enthalten Master das Full Image oder ein Array und werden in einem Belichtungsschritt oder Scan auf den Wafer übertragen. Diese Technologie bieten einen hohen Durchsatz, ist aber auf eine minimale Auflösung von ca. 1µm bis 2µm begrenzt. Was jedoch für viele herkömmliche und einige neue Technologien vollkommen ausreichend ist.

Compugraphics besitzt langjährige Erfahrung mit allen wichtigen 1X Lithographie-Tool-Anbieter wie EVG, Süss und weiteren.

Wir bieten 1X Fotomasken für die verschiedensten Anwendungen in einer Vielzahl von Formaten und Materialien an. Typische Größen und Materialien sind unten in der Tabelle zu sehen. Dank enger Zusammenarbeit mit unseren Zulieferern und Partnern sind wir aber auch in der Lage Sonderformate (auch nicht-quadratische) oder andere Materialien anzubieten.Fragen Sie uns einfach.

 

MasterMasken Substratgröße Material           Substratdicke         
3” Quarz Soda Lime 0.06”
4” Quarz Soda Lime 0.06” / 0.09” nur Qz
5” Quarz Soda Lime 0.09”
6” Quarz Soda Lime 0.12” / 0.25” nur Qz
7″ Quarz Soda Lime 0.12” / 0.15” nur Qz
7.25R Quarz Soda Lime 0.15”
8″ Soda Lime 0.12”
9″ Borofloat/Quarz Soda Lime 0.12”
14″ Borofloat Soda Lime 0.12” / 0.19” nur Qz
16″ Quarz Soda Lime 0.12″

 

Masken Alignment

Einer der wichtigsten Prozessschritte bei der 1X Fotolithographie ist die präzise Ausrichtung der Maske zum Wafer. Eine Maske oder Fotomaske ist ein Glassubstrat mit einer strukturierten Oberfläche auf einer Seite. Jede Fotomaske muss zu dem Wafer, an den Strukturen der vorherige Masken-Ebene, ausgerichtet werden. Sobald die Maske mit dem Wafer sorgfältig ausgerichtet ist, werden die Strukturen der Maske auf die Oberfläche des Wafer Fotolithografisch übertragen. Dabei wird der Fotolack auf der Waferoberfläche ausschließlich an den transparenten Bereichen der Maske mit einer hohen Intensität von ultraviolettem Licht belichtet.

Es gibt drei Belichtungsverfahren für 1X Wafer Lithographie: Kontakt-, Proximity- und Projektions-Lithografie. In der folgenden Abbildung sind alle drei Verfahren dargestellt:

 

Image_Waferbelichtung

Kontakt-Lithografie

Bei der Kontakt-Lithografie wird der mit Fotoresist beschichtete Siliziumwafer in physischen Kontakt mit der Fotomaske gebracht. Der Wafer wird durch ein Vakuum gehalten und die Maske nähert sich dem Wafer bis die Maske und der Wafer physikalisch in Kontakt treten. Der Nachteil bei der Kontakt-Lithografie ist, dass Partikel zwischen Resist und Maske die Maske beschädigen können. Außerdem können die Partikel in den Resist eingeschlossen werden und dann, in den darauf folgenden Prozessschritten Defekte in den Strukturen des Wafers verursachen. Masken Kopien werden ebenfalls durch Kontakt-Lithographie hergestellt. Jedoch können die Nachteile dieser Technologie durch besonders sorgfältiges Arbeiten minimiert werden. Siehe Kopie Masken

Wussten Sie schon?

Compugraphics produziert Kopien von Master Masken die vor über 20 Jahren das erste mal eingesetzt worden.

Proximity-Lithographie

Das Proximity-Belichtungsverfahren ist ähnlich wie die Kontakt-Lithographie, ausgenommen von einem kleinen 10µm bis 25µm breiten Spalt zwischen dem Wafer und der Maske während der Belichtung. Diese Lücke minimiert (beseitigen aber nicht) das Risiko von Schäden an der Maske. Eine Auflösung von ca. 2µm bis 4µm ist mit der Proximity-Lithographie möglich.

Wussten Sie schon?   

Compugraphics bieten eine patentierte Technologie an, Lebensdauer bzw. Anzahl der Belichtungszyklen bei 1X Kontakt und Proximity Fotomasken zu erhöhen.

Fragen Sie nach unserem MPT ™ Service.

 

Projektions-Lithographie

Bei der Projektions-Belichtung treten keine von physikalischen Kontakt verursachten Schäden auf. Die Strukturen der Maske werden auf dem viele Zentimeter entfernten, mit Resist beschichteten Wafer projiziert. Um eine hohe Auflösung zu erreichen wird nur ein kleiner Bereich der Maske auf dem Wafer abgebildet. Mit diesem kleinen Bildfeld wird die Oberfläche des Wafers rasterförmig abgefahren und belichtet.

Projektionsmasken bzw. Reticle werden oft mit einem Schutz Pellicle versehen. Sobald die Maske als defekt- und kontaminationsfrei qualifiziert ist, werden die empfindlichen Strukturen durch eine dünne Membran geschützt. Sofern das Pellicle nicht beschädigt wird, hält es die Strukturen über die gesamte Lebensdauer der Maske frei von Defekten und Partikeln.

 

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